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Descripción

MOSFET Canal N 2SK1117 – 6 A, 600 V, 1,25 Ω

MOSFET de potencia de canal N 2SK1117 (Toshiba, también fabricado por ISC) de 600 V y 6 A, para fuentes conmutadas y conmutación de propósito general.

Especificaciones técnicas

FabricanteToshiba (original) / ISC
Modelo2SK1117
TipoMOSFET de potencia canal N, enriquecimiento
Tensión drenador-fuente (VDSS)600 V
Tensión compuerta-fuente (VGSS)±20 V
Corriente de drenador continua (ID, Tc = 25 °C)6 A
Corriente de drenador pulsada (IDP)24 A
Disipación (Tc = 25 °C)100 W
Resistencia de encendido RDS(on) máx.1,25 Ω (VGS = 10 V, ID = 3 A)
Tensión umbral VGS(th)1,5 a 3,5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Tensión del diodo interno (VSD) máx.2 V (IS = 6 A)
Resistencia térmica juntura-cápsula1,25 °C/W
Temperatura de canal máx.150 °C

Aplicaciones (ejemplos): Fuentes conmutadas (SMPS), convertidores DC-DC, balastos, control de motores y conmutación de propósito general.

Datos según la hoja del fabricante. Precio por unidad. Consultá por cantidad.