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Descripción

2SK537 – MOSFET de potencia canal N.

Usos típicos: conmutación de alta tensión: fuentes conmutadas, balastos e inversores.

TipoMOSFET canal N
Tensión drenador-fuente (VDS) máx.900 V
Corriente de drenador (ID) máx.1 A
Potencia de disipación60 W

Para reemplazar: mismo canal (N), VDS e ID iguales o mayores, RDS(on) igual o menor, y mismo encapsulado y orden de patas (verificalo en la hoja de datos).

Valores de referencia según hoja de datos; pueden variar levemente según el fabricante.

Precio por unidad. Consultá por cantidad.