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Descripción

ULN2086A — Matriz de transistores NPN · DIP.

Usos típicos: bloques de construcción analógicos y conmutación de baja señal.

Características técnicas

  • Tipo: Matriz de transistores NPN
  • Encapsulado: DIP
  • Cinco transistores NPN independientes
  • Tensión colector-emisor (V(BR)CEO): 20 V
  • Corriente de colector (IC): 50 mA
  • Fabricante: Sprague / Allegro

Valores de referencia según hoja de datos; pueden variar levemente según el fabricante. Venta unitaria.