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Descripción

CA3127E — Matriz de transistores NPN de alta frecuencia · DIP-16.

Usos típicos: amplificadores y mezcladores de RF/VHF, osciladores.

Características técnicas

  • Tipo: Matriz de transistores NPN de alta frecuencia
  • Encapsulado: DIP-16
  • 5 transistores NPN sobre sustrato común
  • Frecuencia de transición (fT): >1 GHz (típ. 1,15 GHz)
  • Tensión colector-emisor (VCEO): 15 V máx.
  • Corriente de colector (IC): 20 mA por transistor

Valores de referencia según hoja de datos; pueden variar levemente según el fabricante. Venta unitaria.