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Descripción

Transistor BJT BUW12A NPN 450 V 8 A 125 W

Transistor NPN de alta tensión y conmutación rápida con baja tensión de saturación, para aplicaciones industriales, fuentes conmutadas y control de motores.

Especificaciones

  • VCEO: 450 V
  • VCBO: 1000 V
  • VEBO: 9 V
  • IC: 8 A (20 A pico)
  • IB: 4 A
  • Disipación (TC = 25 °C): 125 W
  • Temperatura de juntura: 150 °C
  • Encapsulado: TO-3PN
  • Fabricante del datasheet: Inchange Semiconductor (ISC)

Venta unitaria. Datos según el fabricante.