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Descripción

Transistor BJT BF414 NPN HF 30 V 25 mA 300 mW

Transistor NPN de RF de bajo ruido para etapas de VHF y FM en base común.

Especificaciones

  • VCEO: 30 V
  • VCBO: 40 V
  • VEBO: 4 V
  • IC: 25 mA
  • Ptot (TA ≤ 45 °C): 300 mW
  • hFE: 30 mín. / 80 típ. (IC = 4 mA, VCE = 10 V)
  • fT: 560 MHz típ. (IC = 5 mA)
  • Figura de ruido: 3 dB típ. a 100 MHz
  • Encapsulado: TO-92
  • Fabricante del datasheet: Siemens

Venta unitaria. Datos según el fabricante.