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Descripción

Transistor BJT BD177 NPN 60 V 3 A hfe 15 30 W

Transistor NPN de media potencia en TO-126 para etapas lineales y de conmutación: drivers de audio, fuentes y control de cargas. Complementario del BD178.

Especificaciones

  • VCEO: 60 V
  • VCBO: 60 V
  • VEBO: 5 V
  • IC: 3 A (7 A pulsada)
  • Disipación (TC = 25 °C): 30 W
  • hFE: 40 a 250 (IC = 150 mA); 15 mín. (IC = 1 A)
  • VCE(sat): 0,8 V máx. (IC = 1 A)
  • fT: 3 MHz mín.
  • Encapsulado: TO-126
  • Fabricante del datasheet: Fairchild (hoy onsemi)

Venta unitaria. Datos según el fabricante.