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Descripción

Transistor BJT BC239B NPN 25 V 100 mA 350 mW

Transistor NPN de baja señal y bajo ruido, pensado para preamplificadores de audio y etapas de entrada sensibles.

Especificaciones

  • VCEO: 25 V
  • VCES: 30 V
  • VEBO: 5 V
  • IC continua: 100 mA
  • Disipación (TA = 25 °C): 350 mW
  • hFE: 120 a 800 (IC = 2 mA, VCE = 5 V)
  • VCE(sat): 0,6 V máx. (IC = 100 mA)
  • Figura de ruido: 2 dB típ. (4 dB máx.), versión de bajo ruido
  • Encapsulado: TO-92
  • Fabricante del datasheet: Motorola (hoy onsemi)

Venta unitaria. Datos según el fabricante.