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Descripción

Transistor BJT 2SD1145 NPN 20 V 5 A 0.9 W

Transistor NPN de alta corriente y baja tensión de saturación, para excitar relés, lámparas, martillos de impresora, motores y conversores DC-DC de flash.

Especificaciones

  • VCEO: 20 V
  • VCBO: 60 V
  • VEBO: 6 V
  • IC: 5 A (8 A pulsada)
  • Disipación (Ta = 25 °C): 0,9 W
  • hFE: 100 a 560 (VCE = 2 V, IC = 0,5 A)
  • VCE(sat): 0,5 V máx. (IC = 3 A, IB = 60 mA)
  • fT: 120 MHz típ.
  • Encapsulado: Sanyo 2006A (plástico, 3 terminales)
  • Fabricante del datasheet: Sanyo

Venta unitaria. Datos según el fabricante.