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Descripción

Transistor BJT 2SC1674 NPN 20 V 20 mA 250 mW

Transistor NPN de RF diseñado para amplificador de RF y oscilador local de sintonizadores de FM, con alta fT y bajo ruido.

Especificaciones

  • VCEO: 20 V
  • VCBO: 30 V
  • VEBO: 4 V
  • IC: 20 mA
  • Disipación total (Ta = 25 °C): 250 mW
  • hFE: 40 a 180 (VCE = 6 V, IC = 1 mA)
  • fT: 600 MHz típ. (400 MHz mín.)
  • Figura de ruido: 3 dB típ. a 100 MHz
  • Ganancia de potencia (Gpe): 22 dB típ. a 100 MHz
  • Encapsulado: TO-92
  • Fabricante del datasheet: NEC

Venta unitaria. Datos según el fabricante.