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Descripción

Transistor Darlington PNP 2N6034 – 40 V, 4 A, 40 W, TO-126

Transistor Darlington PNP de silicio de Central Semiconductor (también onsemi), de muy alta ganancia, en encapsulado TO-126.

Especificaciones técnicas

FabricanteCentral Semiconductor / onsemi
Modelo2N6034
TipoTransistor Darlington PNP
Tensión colector-base (VCBO)40 V
Tensión colector-emisor (VCEO)40 V
Tensión emisor-base (VEBO)5 V
Corriente de colector (IC)4 A continua; 8 A pico
Corriente de base (IB)100 mA
Disipación (PD)40 W a Tc = 25 °C; 1,5 W a Ta = 25 °C
Ganancia (hFE)750 a 15.000 (IC = 2 A, VCE = 3 V); mín. 500 (IC = 0,5 A); mín. 100 (IC = 4 A)
VCE(sat)máx. 2 V (IC = 2 A, IB = 8 mA); máx. 3 V (IC = 4 A, IB = 40 mA)
VBE(on)máx. 2,8 V (VCE = 3 V, IC = 2 A)
Frecuencia de transición (fT)mín. 25 MHz (VCE = 10 V, IC = 750 mA)
Temperatura de juntura (Tj)–65 a +150 °C
EncapsuladoTO-126

Aplicaciones (ejemplos): Drivers de motores, relés y solenoides, reguladores lineales, amplificadores de audio, conmutación de cargas con muy poca corriente de base.

Pinout TO-126: 1 = emisor, 2 = colector (unido a la placa metálica), 3 = base. Complementario NPN: 2N6037. Central lo declaró fin de vida (PDN01250).

Datos según la hoja del fabricante. Precio por unidad. Consultá por cantidad.