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Descripción

Transistor BJT 2N3055 NPN 60 V 15 A 115 W

Transistor NPN de potencia en cápsula metálica TO-3, un clásico para etapas de salida de audio, fuentes lineales reguladas y control de motores.

Especificaciones

  • VCEO: 60 V
  • VCER: 70 V
  • VCBO: 100 V
  • IC continua: 15 A
  • Disipación (TC = 25 °C): 115 W
  • hFE: 20 a 70 (IC = 4 A, VCE = 4 V)
  • VCE(sat): 1,1 V máx. (IC = 4 A)
  • fT: 2,5 MHz mín.
  • Encapsulado: TO-204AA (TO-3)
  • Fabricante del datasheet: onsemi

Venta unitaria. Datos según el fabricante.