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4416P15 · Memoria · Circuito integrado

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4416P15 · Memoria · Circuito integrado

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Precio sin impuestos $7.935,00
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Descripción

4416P15 · Memoria DRAM 16K × 4 bits 150 ns · DIL-18

Memoria RAM dinámica de 16.384 palabras de 4 bits con multiplexado de direcciones (RAS/CAS), alimentación única de +5 V y salida de 3 estados controlada por G. Versión de 150 ns de tiempo de acceso.

Especificaciones técnicas

TipoDRAM NMOS (tipo 4416)
Organización16.384 × 4 bits (64 Kbit)
Tiempo de acceso desde RAS150 ns
Tiempo de acceso desde CAS80 ns
Acceso desde G (output enable)40 ns
Direccionamiento8 líneas multiplexadas (RAS/CAS)
Entradas y salidas4 líneas de datos comunes (DQ1 a DQ4), compatibles TTL
Alimentación+5 V ±10 %
Temperatura de trabajo0 °C a +70 °C
EncapsuladoDIL-18 plástico
EquivalentesTMS4416-15, M5M4416P-15

Aplicaciones (ejemplos): Memoria de video y de trabajo en microcomputadoras, buffers de impresoras y terminales, reparación de placas.

Datos según el tipo TMS4416-15; confirmá el fabricante con la marca de la pieza.

Datos según la hoja del fabricante (Texas Instruments, MOS Memory Data Book 1984 (TMS4416)). Precio por unidad. Consultá por cantidad.