Inicio Productos
Carrito 0
Envíos a todo el país · Retiro en Av. Córdoba 3690, CABA

Módulo IGBT Dual MG75Q2YS40 1200V 75A

Inicio - Componentes - Semiconductores - Transistores - Módulos de Potencia - Módulo IGBT Dual MG75Q2YS40 1200V 75A
Módulo IGBT Dual MG75Q2YS40 1200V 75A

$348.075,00
Precio sin impuestos $287.665,29
24 cuotas de $30.745,17
Ver medios de pago
Entregas para el CP: Cambiar CP
Medios de envío
No sé mi código postal
Descripción

Módulo IGBT Dual MG75Q2YS40 1200V 75A

Módulo IGBT Toshiba de medio puente completo en un encapsulado aislado, de 1200 V y 75 A. Para control de motores y conmutación de alta potencia.

Especificaciones

  • Configuración: medio puente (2 IGBT) en 1 módulo
  • Tensión colector-emisor (VCES): 1200 V
  • Corriente de colector: 75 A CC / 150 A (1 ms)
  • Disipación de colector: 560 W (Tc 25 °C)
  • VCE(sat): 3,0 V típ. / 4,0 V máx. (IC 75 A)
  • Capacidad de entrada: 9000 pF
  • Tiempo de caída: 0,5 µs máx.; trr: 0,5 µs máx.
  • Aislación: 2500 Vac 1 min
  • Temperatura de juntura: 150 °C
  • Peso: 202 g

Venta unitaria. Datos según el fabricante.