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Descripción

MM74C200 · Memoria RAM estática de 256 bits tri-state · CMOS DIL-16

Memoria RAM de lectura/escritura de 256 × 1 bit en tecnología CMOS, con registro de direcciones interno, tres habilitaciones de chip y salida tri-state para expansión en bus.

Especificaciones técnicas

FabricanteNational Semiconductor
ModeloMM74C200
Organización256 × 1 bit
Direcciones8 líneas, con registro interno (se toman en el flanco de CE3)
Habilitaciones3 (CE1, CE2, CE3)
SalidaTri-state
Tensión de alimentación3 a 15 V
Consumo500 nW típ. en reposo
CompatibilidadFan-out de 1 carga TTL estándar
Inmunidad al ruido0,45 VCC típ.
EncapsuladoDIL-16

Aplicaciones (ejemplos): Memorias de bajo consumo con batería, registros y buffers en equipos CMOS.

A diferencia del DM74200, la memoria se selecciona con la transición de CE3 de alto a bajo.

Datos según la hoja del fabricante (National Semiconductor CMOS Databook 1981). Precio por unidad. Consultá por cantidad.